Ნაწილი ნომერი :
62-0095PBF
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
900pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2W
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
-