S2M-E3/5BT ფასები (აშშ დოლარი) [1015433ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.03643
- 3,200 pcs$0.03115
- 6,400 pcs$0.02803
- 9,600 pcs$0.02492
- 32,000 pcs$0.02336
- 80,000 pcs$0.02076
- Ნაწილი ნომერი:
- S2M-E3/5BT
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S2M-E3/5BT electronic components. S2M-E3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S2M-E3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S2M-E3/5BT პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S2M-E3/5BT
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.15V @ 1.5A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
16pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AA (SMB)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SMBD914E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
-
-
CDBV1100-HF
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 100V HALOGEN-FREE
-
SD103AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 350 mA 40 Volt
-
SD103AW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置