Ნაწილი ნომერი :
IPC218N04N3X1SA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
2A (Tj)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Sawn on foil