TPUH6J S1G ფასები (აშშ დოლარი) [387411ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.09547
- Ნაწილი ნომერი:
- TPUH6J S1G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultra Fast Rectifier 600v 6Amp
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TPUH6J S1G electronic components. TPUH6J S1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPUH6J S1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPUH6J S1G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
TPUH6J S1G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
6A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
3V @ 6A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
45ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-277, 3-PowerDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-277A (SMPC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
-
VS-8EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置