Diodes Incorporated - DMN2300UFB4-7B

KEY Part #: K6420849

DMN2300UFB4-7B ფასები (აშშ დოლარი) [1416991ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02623
  • 10,000 pcs$0.02610

Ნაწილი ნომერი:
DMN2300UFB4-7B
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B electronic components. DMN2300UFB4-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2300UFB4-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2300UFB4-7B პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN2300UFB4-7B
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 64.3pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 500mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : X2-DFN1006-3
პაკეტი / საქმე : 3-XFDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ