BAQ134-GS08 ფასები (აშშ დოლარი) [1626459ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.02274
- 12,500 pcs$0.01765
- Ნაწილი ნომერი:
- BAQ134-GS08
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAQ134-GS08 electronic components. BAQ134-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAQ134-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAQ134-GS08 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BAQ134-GS08
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
60V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
200mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 100mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1nA @ 30V
Capacitance @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SOD-80 Variant
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOD-80 QuadroMELF
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-8EWF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die
-
VS-50WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
RGL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
-
VS-ETL1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns
-
SGL41-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt
ცხელი ნაწილები
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置