Microsemi Corporation - 1N5617US

KEY Part #: K6441199

1N5617US ფასები (აშშ დოლარი) [10686ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.42022
  • 10 pcs$3.97732
  • 25 pcs$3.62361
  • 100 pcs$3.27017
  • 250 pcs$3.00501
  • 500 pcs$2.73986

Ნაწილი ნომერი:
1N5617US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5617US electronic components. 1N5617US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5617US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5617US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5617US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.6V @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 35pF @ 12V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB10S60CATMA2

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.

  • VS-MURB1520TRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.

  • VS-20ETS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

  • VS-20ETS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

  • VS-15TQ060STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK.

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier