Diodes Incorporated - SBR8E20P5-13

KEY Part #: K6434876

SBR8E20P5-13 ფასები (აშშ დოლარი) [319894ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11562
  • 5,000 pcs$0.10190

Ნაწილი ნომერი:
SBR8E20P5-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE SBR 20V 8A POWERDI5. Schottky Diodes & Rectifiers Super Barrier Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated SBR8E20P5-13 electronic components. SBR8E20P5-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR8E20P5-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBR8E20P5-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SBR8E20P5-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE SBR 20V 8A POWERDI5
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Super Barrier
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 20V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 450mV @ 8A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500µA @ 20V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerDI™ 5
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI™ 5
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS40WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323.

  • SDD660TR

    SMC Diode Solutions

    STANDARD RECTIFIER 600V DPAK.

  • CRG04(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 600V 1A SFLAT. Rectifiers 600V Vrrm 1.0A IF 50Hz 1.1V Vfm REC

  • CRS03(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT. Schottky Diodes & Rectifiers SBD 1A VRRM=30V VFM=0.45V

  • 1N5395G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC.

  • 1N5393GHB0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC.