Microsemi Corporation - JAN1N1206A

KEY Part #: K6445535

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N1206A electronic components. JAN1N1206A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N1206A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JAN1N1206A

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/260

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 12A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.35V @ 38A

სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount

პაკეტი / საქმე : DO-203AA, DO-4, Stud

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-203AA (DO-4)

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
BAT54WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

ცხელი ნაწილები