Global Power Technologies Group - GP1M004A090FH

KEY Part #: K6402709

[2609ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    GP1M004A090FH
    მწარმოებელი:
    Global Power Technologies Group
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 900V 4A TO220F.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP1M004A090FH electronic components. GP1M004A090FH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M004A090FH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M004A090FH პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : GP1M004A090FH
    მწარმოებელი : Global Power Technologies Group
    აღწერა : MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 900V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 955pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 38.7W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220F
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

    • GP1M003A090C

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

    • GP1M003A080CH

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.