Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2B-E3/5BT

KEY Part #: K6449795

ES2B-E3/5BT ფასები (აშშ დოლარი) [602236ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06142
  • 6,400 pcs$0.04834

Ნაწილი ნომერი:
ES2B-E3/5BT
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100V 20ns
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2B-E3/5BT electronic components. ES2B-E3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2B-E3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2B-E3/5BT პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ES2B-E3/5BT
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 900mV @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AA (SMB)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CSD04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2.

  • RURD4120S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 1.2KV 4A DPAK.

  • MMBD914LT3HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23.

  • MA3X70300L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • BAS16WE6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323.

  • SDB06S60

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK.