IXYS - IXTP230N04T4M

KEY Part #: K6394622

IXTP230N04T4M ფასები (აშშ დოლარი) [46760ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.83620

Ნაწილი ნომერი:
IXTP230N04T4M
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTP230N04T4M electronic components. IXTP230N04T4M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP230N04T4M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP230N04T4M პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTP230N04T4M
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH
სერიები : TrenchT4™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 230A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 115A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±15V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7400pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 40W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220 Isolated Tab
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ