Infineon Technologies - FT150R12KE3B5BOSA1

KEY Part #: K6532542

[1131ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    FT150R12KE3B5BOSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    PWR MODULE.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტირისტორები - სკკ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1 electronic components. FT150R12KE3B5BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FT150R12KE3B5BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FT150R12KE3B5BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : FT150R12KE3B5BOSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : PWR MODULE
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    IGBT ტიპი : -
    კონფიგურაცია : -
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : -
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
    ძალა - მაქსიმუმი : -
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : -
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : -
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
    შეყვანა : -
    NTC თერმოსტორი : -
    ოპერაციული ტემპერატურა : -
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-ENQ030L120S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

    • VS-ETF150Y65N

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

    • CPV362M4F

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • A2C35S12M3

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

    • A2C25S12M3

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.