IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3556S100PFGI8

KEY Part #: K937811

71V3556S100PFGI8 ფასები (აშშ დოლარი) [18112ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.54266
  • 1,000 pcs$2.53001

Ნაწილი ნომერი:
71V3556S100PFGI8
მწარმოებელი:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - მიკროკონტროლები, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური,, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი and ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556S100PFGI8 electronic components. 71V3556S100PFGI8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V3556S100PFGI8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V3556S100PFGI8 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 71V3556S100PFGI8
მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
აღწერა : IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Synchronous ZBT
მეხსიერების ზომა : 4.5Mb (128K x 36)
საათის სიხშირე : 100MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3.135V ~ 3.465V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 100-LQFP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 100-TQFP (14x14)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C