Ნაწილი ნომერი :
ZXMN3A04DN8TC
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
36.8nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1890pF @ 15V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOP