STMicroelectronics - STB13N60M2

KEY Part #: K6407460

STB13N60M2 ფასები (აშშ დოლარი) [63505ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.61571
  • 1,000 pcs$0.55017

Ნაწილი ნომერი:
STB13N60M2
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STB13N60M2 electronic components. STB13N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB13N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB13N60M2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STB13N60M2
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
სერიები : MDmesh™ II Plus
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±25V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 580pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 110W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • 2SK3342(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

  • 2SK2883(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.