Microsemi Corporation - JAN1N5615US

KEY Part #: K6424989

JAN1N5615US ფასები (აშშ დოლარი) [6983ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.90097
  • 10 pcs$5.31176
  • 25 pcs$4.83977
  • 100 pcs$4.36756
  • 250 pcs$4.01342
  • 500 pcs$3.65929

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N5615US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5615US electronic components. JAN1N5615US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5615US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5615US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N5615US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/429
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 800mV @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 200°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ