Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP10DEHE3/54

KEY Part #: K6447114

[1535ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    RGP10DEHE3/54
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10DEHE3/54 electronic components. RGP10DEHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10DEHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RGP10DEHE3/54 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : RGP10DEHE3/54
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    სერიები : SUPERECTIFIER®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 200V
    Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DGS13-025CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

    • CSD10060G

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

    • NSB8MTHE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB.

    • NSB8KTHE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.

    • NSB8GTHE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB.