IXYS - IXTH02N250

KEY Part #: K6397750

IXTH02N250 ფასები (აშშ დოლარი) [7589ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.97148
  • 10 pcs$5.42942
  • 100 pcs$4.61501
  • 500 pcs$3.93633

Ნაწილი ნომერი:
IXTH02N250
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTH02N250 electronic components. IXTH02N250 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH02N250, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH02N250 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTH02N250
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 2500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 200mA (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 7.4nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 116pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 83W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247 (IXTH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.