WeEn Semiconductors - BYR29X-600,127

KEY Part #: K6447137

BYR29X-600,127 ფასები (აშშ დოლარი) [1527ცალი საფონდო]

  • 5,000 pcs$0.18826

Ნაწილი ნომერი:
BYR29X-600,127
მწარმოებელი:
WeEn Semiconductors
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F. Rectifiers EPI
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in WeEn Semiconductors BYR29X-600,127 electronic components. BYR29X-600,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYR29X-600,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYR29X-600,127 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYR29X-600,127
მწარმოებელი : WeEn Semiconductors
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 8A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220FP
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DGS13-025CS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

  • MA3X0280BL

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 6V 150MA MINI3.

  • CSD10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263.

  • VS-8EWX06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

  • NSB8MTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB.

  • NSB8KTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.