Ნაწილი ნომერი :
1SV279,H3F
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
PB-F ESC VARICAP DIODE HF IR
Capacitance @ Vr, F :
6.5pF @ 10V, 1MHz
სიმძლავრის თანაფარდობა :
2.5
სიმძლავრის თანაფარდობის მდგომარეობა :
C2/C10
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
15V
ოპერაციული ტემპერატურა :
125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SC-79, SOD-523
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ESC