Toshiba Semiconductor and Storage - 1SV305,H3F

KEY Part #: K6462638

1SV305,H3F ფასები (აშშ დოლარი) [1169017ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03339
  • 4,000 pcs$0.03322
  • 8,000 pcs$0.02990
  • 12,000 pcs$0.02658
  • 28,000 pcs$0.02492

Ნაწილი ნომერი:
1SV305,H3F
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
DIODE VARACTOR 10V ESC. Varactor Diodes Variable Cap Diode 10V 19.3pF 0.27
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305,H3F electronic components. 1SV305,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SV305,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SV305,H3F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1SV305,H3F
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : DIODE VARACTOR 10V ESC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
Capacitance @ Vr, F : 6.6pF @ 4V, 1MHz
სიმძლავრის თანაფარდობა : 3
სიმძლავრის თანაფარდობის მდგომარეობა : C1/C4
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 10V
დიოდის ტიპი : Single
Q @ Vr, F : -
ოპერაციული ტემპერატურა : 125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SC-79, SOD-523
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ESC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ