Micron Technology Inc. - MT25QU02GCBB8E12-0AAT

KEY Part #: K915914

MT25QU02GCBB8E12-0AAT ფასები (აშშ დოლარი) [5309ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$9.07234

Ნაწილი ნომერი:
MT25QU02GCBB8E12-0AAT
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA. NOR Flash SPI FLASH NOR SLC 512MX4 TBGA QDP
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, PMIC - თერმული მენეჯმენტი, PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები, PMIC - RMS to DC გადამყვანი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ and საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0AAT electronic components. MT25QU02GCBB8E12-0AAT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT25QU02GCBB8E12-0AAT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT25QU02GCBB8E12-0AAT პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT25QU02GCBB8E12-0AAT
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
სერიები : Automotive, AEC-Q100
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : 133MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 8ms, 2.8ms
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : SPI
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 2V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 24-TBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 24-T-PBGA (6x8)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS61LPD51236A-250B3LI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

  • W25Q257FVFIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • W25Q257FVFIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • MT41K512M16HA-107 IT:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

  • MT41K512M16HA-107G:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

  • MT52L256M32D1PF-093 WT:B

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA.