CY7C10212CV33-12BAXET ფასები (აშშ დოლარი) [27168ცალი საფონდო]
- 1 pcs$1.69510
- 2,000 pcs$1.68667
- Ნაწილი ნომერი:
- CY7C10212CV33-12BAXET
- მწარმოებელი:
- Cypress Semiconductor Corp
- Დეტალური აღწერა:
- IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA. SRAM 1Mb, 3.3V, 12ns 64K x 16 Async SRAM
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები - განაცხადის სპეციფიკ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა, ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა, ინტერფეისი - I / O Expanders, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი and PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp CY7C10212CV33-12BAXET electronic components. CY7C10212CV33-12BAXET can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CY7C10212CV33-12BAXET, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CY7C10212CV33-12BAXET პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
CY7C10212CV33-12BAXET
მწარმოებელი :
Cypress Semiconductor Corp
აღწერა :
IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
SRAM
ტექნოლოგია :
SRAM - Asynchronous
მეხსიერების ზომა :
1Mb (64K x 16)
საათის სიხშირე :
-
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
12ns
წვდომის დრო :
12ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 125°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
48-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
48-FBGA (7x7)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
R1LP5256ESP-5SI#B0
Renesas Electronics America
IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP
-
R1LV5256ESP-5SI#B0
Renesas Electronics America
IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube
-
71256SA25TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
-
W25M512JVFIQ TR
Winbond Electronics
IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector
-
W949D2DBJX5I
Winbond Electronics
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
ცხელი ნაწილები
- W25P40VSNIG T&R
- MT28F320J3RG-11 GMET
- CY7C1355B-100AC
- M27C1001-70C1
- AT45DB041B-TC-2.5
- AT45D021-JC
- AT29C256-20TC
- AT24C164-10PI-2.7
- AT49F1025-55JI
- AT24C256W-10SC-2.7
- IS25WP016-JKLE
- IS62WV12816ALL-70BI-TR
- MT53B4DCNQ-DC
- 7006S15PFI
- MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR
- MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR
- IS49NLS18160-25WBLI
- 24AA512-I/S22K
- AS4C8M16S-7TCNTR
- AT45DQ161-SHD2B-T
- MT41J512M8RH-093:E
- MT48LC32M8A2BB-7E:G TR
- CY7C1484BV25-250AXI
- R1LP0408DSB-5SI#B0
- MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A
- IS46TR16128A-125KBLA1
- SST25VF080B-80-4I-S2AE-T
- AT25DQ161-SH-T
- CY7C1474BV33-167BGIT
- AT93C86AY6-10YH-1.8-T
- 71V321L25PF8
- IDT71V016SA20PH
- IDT71T75902S75PFI
- IDT71T75702S85PFI
- 7130SA20J
- RC28F640P30B85A
- CY62157DV30L-55BVXE
- IS42S32800B-6BL-TR
- IS42S16800D-7T-TR
- TC58CVG0S3HRAIG
选择你的位置