Vishay Semiconductor Diodes Division - MBRB10H35HE3/81

KEY Part #: K6443594

[2737ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MBRB10H35HE3/81
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტირისტორები - TRIACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MBRB10H35HE3/81 electronic components. MBRB10H35HE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRB10H35HE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRB10H35HE3/81 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MBRB10H35HE3/81
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB
    სერიები : Automotive, AEC-Q101
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 35V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 850mV @ 20A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 35V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • UD0506T-TL-HX

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0504T-P-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

    • VS-8EWF02S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

    • V30120SG-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

    • M3045S-M3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB.

    • BAY80-TR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.