Vishay Siliconix - SUD19P06-60-GE3

KEY Part #: K6419025

SUD19P06-60-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [167720ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22053
  • 2,000 pcs$0.19003

Ნაწილი ნომერი:
SUD19P06-60-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SUD19P06-60-GE3 electronic components. SUD19P06-60-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD19P06-60-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD19P06-60-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SUD19P06-60-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1710pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252, (D-Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ