Renesas Electronics America - NP89N055NUK-S18-AY

KEY Part #: K6404070

[2138ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    NP89N055NUK-S18-AY
    მწარმოებელი:
    Renesas Electronics America
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 55V 90A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and Thististors - SCRs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Renesas Electronics America NP89N055NUK-S18-AY electronic components. NP89N055NUK-S18-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP89N055NUK-S18-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NP89N055NUK-S18-AY პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : NP89N055NUK-S18-AY
    მწარმოებელი : Renesas Electronics America
    აღწერა : MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 45A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 102nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6000pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.8W (Ta), 147W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-262
    პაკეტი / საქმე : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IXTY55N075T

      IXYS

      MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

    • HUF75829D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • FQD11P06TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.