Microsemi Corporation - APT100GN120J

KEY Part #: K6532740

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APT100GN120J electronic components. APT100GN120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GN120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APT100GN120J

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : IGBT 1200V 153A 446W SOT227

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

IGBT ტიპი : Trench Field Stop

კონფიგურაცია : Single

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 153A

ძალა - მაქსიმუმი : 446W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 100µA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 6.5nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : No

ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
VS-GB90DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT