Ნაწილი ნომერი :
SIR122DP-T1-RE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8
სერიები :
TrenchFET® Gen IV
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
44nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1950pF @ 40V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® SO-8