Ნაწილი ნომერი :
APTMC120HR11CT3AG
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
POWER MODULE - SIC MOSFET
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
FET თვისება :
Silicon Carbide (SiC)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1200V (1.2kV)
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
62nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
950pF @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SP3