IXYS - MUBW25-06A6

KEY Part #: K6534297

[548ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MUBW25-06A6
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    MODULE IGBT CBI E1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - RF and ტირისტორები - TRIACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS MUBW25-06A6 electronic components. MUBW25-06A6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUBW25-06A6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MUBW25-06A6 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MUBW25-06A6
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : MODULE IGBT CBI E1
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : NPT
    კონფიგურაცია : Three Phase Inverter with Brake
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 27.5A
    ძალა - მაქსიმუმი : 77W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 20A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 1.1nF @ 25V
    შეყვანა : Three Phase Bridge Rectifier
    NTC თერმოსტორი : Yes
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : E1
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : E1

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • CPV364M4F

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

    • GA200SA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

    • GA200SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT STD 600V 100A SOT227.

    • STGE50NB60HD

      STMicroelectronics

      IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.

    • APT30GF60JU3

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 58A 192W SOT227.

    • APT50GP60J

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 100A 329W SOT227.