Microchip Technology - TN2425N8-G

KEY Part #: K6392690

TN2425N8-G ფასები (აშშ დოლარი) [100885ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.39708
  • 2,000 pcs$0.39510

Ნაწილი ნომერი:
TN2425N8-G
მწარმოებელი:
Microchip Technology
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microchip Technology TN2425N8-G electronic components. TN2425N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN2425N8-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN2425N8-G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TN2425N8-G
მწარმოებელი : Microchip Technology
აღწერა : MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 480mA (Tj)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 200pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.6W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-89-3
პაკეტი / საქმე : TO-243AA
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ