BYG21M-M3/TR3 ფასები (აშშ დოლარი) [726097ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.05184
- 15,000 pcs$0.05158
- Ნაწილი ნომერი:
- BYG21M-M3/TR3
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V,120nS Fast Avalanche,SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21M-M3/TR3 electronic components. BYG21M-M3/TR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG21M-M3/TR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG21M-M3/TR3 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BYG21M-M3/TR3
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.6V @ 1.5A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
120ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
BYG22D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
-
BYG22B-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
BYG10G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD
-
BYG10J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
-
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD
ცხელი ნაწილები
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR
选择你的位置