Ნაწილი ნომერი :
SQJQ410EL-T1_GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
220nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
14500pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
150W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® 8 x 8
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN