Ნაწილი ნომერი :
CS8312YN8
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8DIP
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
Low-Side
კარიბჭის ტიპი :
IGBT, N-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
7V ~ 10V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
-
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
-
შეყვანის ტიპი :
Non-Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
-
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-PDIP