Infineon Technologies - IR2112STR

KEY Part #: K1220717

[2706ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IR2112STR
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა, ხაზოვანი - შემსრულებლები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება and PMIC - ლაზერული დრაივერი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IR2112STR electronic components. IR2112STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IR2112STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IR2112STR პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IR2112STR
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    ორიენტირებული კონფიგურაცია : Half-Bridge
    არხის ტიპი : Independent
    მძღოლების რაოდენობა : 2
    კარიბჭის ტიპი : IGBT, N-Channel MOSFET
    ძაბვა - მიწოდება : 10V ~ 20V
    ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH : 6V, 9.5V
    აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) : 250mA, 500mA
    შეყვანის ტიპი : Non-Inverting
    მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) : 600V
    აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) : 80ns, 40ns
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 16-SOIC

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ