Ნაწილი ნომერი :
HIP2101EIBT
მწარმოებელი :
Renesas Electronics America Inc.
აღწერა :
IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
Half-Bridge
კარიბჭის ტიპი :
N-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
9V ~ 14V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
0.8V, 2.2V
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
2A, 2A
შეყვანის ტიპი :
Non-Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
114V
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
10ns, 10ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOIC-EP