Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16D1A-5TIN

KEY Part #: K940029

AS4C16M16D1A-5TIN ფასები (აშშ დოლარი) [27877ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.64381
  • 10 pcs$1.49265
  • 25 pcs$1.46013

Ნაწილი ნომერი:
AS4C16M16D1A-5TIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, ინტერფეისი - სერიალიზატორი, დესელიზატორები, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5TIN electronic components. AS4C16M16D1A-5TIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M16D1A-5TIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16D1A-5TIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C16M16D1A-5TIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 66-TSOP II

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • 6116LA25SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116LA20SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • MD56V62160M-7TAZ0AX

    Rohm Semiconductor

    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP.