მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.3V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
250ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
25pF @ 12V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
A, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Axial
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C