Vishay Semiconductor Diodes Division - SS10P4HM3/86A

KEY Part #: K6446696

[1678ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SS10P4HM3/86A
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SS10P4HM3/86A electronic components. SS10P4HM3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS10P4HM3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS10P4HM3/86A პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SS10P4HM3/86A
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A
    სერიები : eSMP®
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 40V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 560mV @ 10A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 800µA @ 40V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-277, 3-PowerDFN
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-277A (SMPC)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

    • VS-80EPF04PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.

    • MBR1650HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.