Infineon Technologies - ND261N20KHPSA1

KEY Part #: K6441843

ND261N20KHPSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [688ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$67.43358

Ნაწილი ნომერი:
ND261N20KHPSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
DIODE GP 2KV 260A BG-PB50ND-1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies ND261N20KHPSA1 electronic components. ND261N20KHPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ND261N20KHPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ND261N20KHPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ND261N20KHPSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : DIODE GP 2KV 260A BG-PB50ND-1
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 2000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 260A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : -
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 40mA @ 2000V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : BG-PB50ND-1
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 135°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp