Ნაწილი ნომერი :
NTD6600N-001
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
146 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
20nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
700pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
I-PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA