Vishay Siliconix - SI2333DS-T1-GE3

KEY Part #: K6411779

SI2333DS-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [228100ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16215
  • 3,000 pcs$0.15227

Ნაწილი ნომერი:
SI2333DS-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI2333DS-T1-GE3 electronic components. SI2333DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2333DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2333DS-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI2333DS-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1100pF @ 6V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 750mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3 (TO-236)
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.