ON Semiconductor - MBRM110ET3G

KEY Part #: K6424997

MBRM110ET3G ფასები (აშშ დოლარი) [1012464ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03653
  • 12,000 pcs$0.03643

Ნაწილი ნომერი:
MBRM110ET3G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 10V Low Leakage
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor MBRM110ET3G electronic components. MBRM110ET3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRM110ET3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRM110ET3G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MBRM110ET3G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 10V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 530mV @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 10V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-216AA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Powermite
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ