თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. S12M

GeneSiC Semiconductor - S12M

KEY Part #: K6425705

S12M ფასები (აშშ დოლარი) [22785ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.32006
  • 100 pcs$2.30852
Ნაწილი ნომერი:
S12M
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4. Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S12M electronic components. S12M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S12M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12M პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S12M
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 12A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 12A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე : DO-203AA, DO-4, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-4
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DK208DRP

    Littelfuse Inc.

    DIODE RECTIFIER 1200V 8A TO252 R. Rectifiers Diode rectifier 1200V 8A TO252 Reel Pack

  • VS-20ETS12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3

  • VS-20ETF12FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP. Rectifiers New Input Diodes - FULLPAK-220-e3

  • SDUR2040

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 400V TO220AC.

  • BAT54WTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • BAV19WTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123.

ცხელი ნაწილები