ON Semiconductor - BAS21LT3G

KEY Part #: K6456510

BAS21LT3G ფასები (აშშ დოლარი) [5772927ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.00641
  • 10,000 pcs$0.00598
  • 30,000 pcs$0.00538
  • 50,000 pcs$0.00479
  • 100,000 pcs$0.00448
  • 250,000 pcs$0.00399

Ნაწილი ნომერი:
BAS21LT3G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 200mA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor BAS21LT3G electronic components. BAS21LT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21LT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21LT3G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAS21LT3G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 250V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.25V @ 200mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3 (TO-236)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DSEP8-03AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA.

  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • UGB8ATHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8BTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM

  • FESB8CTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 35ns Single

  • FESB8HT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 500 Volt 8.0A 50ns Single