Ნაწილი ნომერი :
FQT7N10LTF
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
6nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
290pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-223-4
პაკეტი / საქმე :
TO-261-4, TO-261AA