ON Semiconductor - FQT7N10LTF

KEY Part #: K6420150

FQT7N10LTF ფასები (აშშ დოლარი) [458617ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09000
  • 4,000 pcs$0.08955

Ნაწილი ნომერი:
FQT7N10LTF
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FQT7N10LTF electronic components. FQT7N10LTF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQT7N10LTF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQT7N10LTF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FQT7N10LTF
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
სერიები : QFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 290pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-223-4
პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ