Microsemi Corporation - JANTXV1N6630

KEY Part #: K6446709

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - RF ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630 electronic components. JANTXV1N6630 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N6630

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 900V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.4A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 1.4A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 900V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

პაკეტი / საქმე : E, Axial

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : E-PAK

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-30CPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.
VS-80EPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.
VS-80EPF04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.
MBR1650HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.
SRP600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

ცხელი ნაწილები