Diodes Incorporated - DMTH6004SCTB-13

KEY Part #: K6409109

DMTH6004SCTB-13 ფასები (აშშ დოლარი) [65432ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.59758
  • 800 pcs$0.53591

Ნაწილი ნომერი:
DMTH6004SCTB-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH6004SCTB-13 electronic components. DMTH6004SCTB-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6004SCTB-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6004SCTB-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMTH6004SCTB-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 95.4nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4556pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 4.7W (Ta), 136W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ