Vishay Semiconductor Diodes Division - 10ETF10

KEY Part #: K6451523

[7102ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    10ETF10
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 10ETF10 electronic components. 10ETF10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 10ETF10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    10ETF10 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 10ETF10
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.33V @ 10A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 310ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1000V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : TO-220-2
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 20ETF04FP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • 8EWF10S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • 8EWF12S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 80EPF12

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.

    • 80EPF10

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC.

    • 80EPF06

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC.